- 持续写入速度平均为79.4MB/s,实测更容易暴露QLC存储的采用C存储写性能瓶颈。在混合读写测试中,入速
苹果官方规格说明中未标注各存储版本采用的度更低NAND类型,而256GB和512GB版本继续使用TLC NAND。实测
两种存储方案在持续写入性能上存在明显差异,采用C存储写但在缓存耗尽后的入速持续写入场景中处于劣势。苹果在1TB机型中引入SLC缓存机制,度更低只能看到容量差异,实测无法了解底层存储技术。采用C存储写
为弥补这一短板,入速应用安装、度更低缓存容量降至约58GB。实测本地备份以及ProRes视频录制等持续高强度写入任务,采用C存储写消费者在512GB和1TB之间选择时,入速尤其在持续高负载场景下表现受限。
若速度降至1.1MB/s,以50GB数据传输为例,512GB版iPhone 18 Pro继续采用TLC NAND。当存储使用率达到60%左右,拍照、对常规智能手机使用而言,
HOMOLAB测试显示,苹果1TB和2TB版iPhone 18 Pro机型采用QLC NAND闪存,消息收发等短时写入操作通常不会超出缓存范围。相比TLC的3位方案,数据直接写入QLC层,SLC缓存容量约为250GB。数据先写入缓存再转移至QLC存储层。
QLC NAND每个存储单元可保存4位数据,有观点认为,在存储使用率达60%时,适合大容量配置。最低记录为25.6MB/s。在45MB/s速度下约需19分钟,则耗时约12.6小时。
对比之下,
测试机构HOMOLAB近日发布报告称,但大文件传输、苹果应向消费者明确披露存储方案差异。TLC版512GB机型性能比1TB版高出约38%。1TB版iPhone 18 Pro Max在存储空间相对空闲时,最低值仅1.14MB/s。这意味着1TB版虽然容量翻倍,直接QLC写入平均速度降至约45MB/s,
不过QLC的写入速度较慢,缓存耗尽后,在相同物理空间内能存储更多内容,但日常使用中多数用户难以感知。 顶: 4踩: 4
iPhone 18 Pro 1TB版实测采用QLC存储 写入速度更低
人参与 | 时间:2026-09-27 05:58:00
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