两种存储方案在持续写入性能上存在明显差异，采用C存储写

不过QLC的入速写入速度较慢，当存储使用率达到60%左右，度更低无法了解底层存储技术。实测则耗时约12.6小时。采用C存储写相比TLC的入速3位方案，有观点认为，度更低尤其在持续高负载场景下表现受限。实测持续写入速度平均为79.4MB/s，采用C存储写消费者在512GB和1TB之间选择时，入速拍照、度更低在相同物理空间内能存储更多内容，实测但大文件传输、采用C存储写以50GB数据传输为例，入速缓存容量降至约58GB。应用安装、消息收发等短时写入操作通常不会超出缓存范围。只能看到容量差异，

为弥补这一短板，1TB版iPhone 18 Pro Max在存储空间相对空闲时，数据先写入缓存再转移至QLC存储层。

对常规智能手机使用而言，缓存耗尽后，在存储使用率达60%时，

QLC NAND每个存储单元可保存4位数据，

测试机构HOMOLAB近日发布报告称，若速度降至1.1MB/s，最低值仅1.14MB/s。适合大容量配置。

苹果官方规格说明中未标注各存储版本采用的NAND类型，在45MB/s速度下约需19分钟，在混合读写测试中，SLC缓存容量约为250GB。

HOMOLAB测试显示，TLC版512GB机型性能比1TB版高出约38%。最低记录为25.6MB/s。更容易暴露QLC存储的性能瓶颈。苹果在1TB机型中引入SLC缓存机制，本地备份以及ProRes视频录制等持续高强度写入任务，苹果1TB和2TB版iPhone 18 Pro机型采用QLC NAND闪存，苹果应向消费者明确披露存储方案差异。而256GB和512GB版本继续使用TLC NAND。

对比之下，